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紅外顯微鏡的應(yīng)用

2024-12-04(82)次瀏覽

  近紅外成像使您能夠?qū)θ庋蹮o(wú)法看到的電子元件進(jìn)行顯微鏡檢測(cè)。以下是近紅外成像在工業(yè)...

近紅外成像使您能夠?qū)θ庋蹮o(wú)法看到的電子元件進(jìn)行顯微鏡檢測(cè)。以下是近紅外成像在工業(yè)檢測(cè)中的一些強(qiáng)有力的方式:

1.檢查晶圓水平芯片級(jí)封裝(CSP)中的芯片損壞。

晶圓水平芯片級(jí)封裝是晶圓水平的集成電路封裝。使用顯微鏡的近紅外成像可用于對(duì)熱濕測(cè)試中出現(xiàn)的芯片損壞進(jìn)行無(wú)損檢測(cè)。上海紅外顯微鏡能夠透過硅成像,因此您可以觀察到熔煉泄漏、銅線腐蝕、樹脂工件剝落以及其他問題。

2.進(jìn)行倒裝芯片無(wú)損分析。

顧名思義,倒裝芯片是一種將芯片有效面積翻轉(zhuǎn),直接安裝在基板、電路板或載體上的芯片封裝方法。一旦倒裝芯片被附著在工件上,就無(wú)法用可見光對(duì)芯片圖案進(jìn)行檢測(cè)。相比之下,上海紅外顯微鏡使您能夠透過硅對(duì)內(nèi)部缺陷進(jìn)行檢查,不會(huì)對(duì)已安裝的芯片造成破壞。這也是確定應(yīng)進(jìn)行聚焦離子束(FIB)處理區(qū)域的有效方法。

3.判斷晶圓研磨量。

晶圓研磨是一個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)步驟,目的是降低晶圓厚度。需通過研磨使設(shè)備變薄,因此對(duì)晶圓兩面進(jìn)行測(cè)量的需求也相應(yīng)增加。然而,要測(cè)量疊層晶圓兩面的研磨量非常困難。上海紅外顯微鏡系統(tǒng)可以透過材料進(jìn)行成像,在晶圓的正面和背面聚焦,使您能夠獲得大致距離。然后,您可以通過測(cè)量物鏡的Z軸移動(dòng)狀態(tài)來(lái)判斷研磨的程度。

4.判斷3D安裝配置中的芯片縫隙。

紅外顯微鏡還可以協(xié)助進(jìn)行硅縫隙管理。三維(3D)安裝配置中的芯片縫隙可以通過測(cè)量紅外光透過硅聚焦在芯片和中介層上時(shí)物鏡的移動(dòng)狀態(tài)來(lái)進(jìn)行無(wú)損判斷。這種方法也可用于微電子機(jī)械系統(tǒng)設(shè)備的測(cè)量和空心構(gòu)造。

5.對(duì)一系列高難度樣品進(jìn)行成像。

可使用較大的波長(zhǎng)的短波紅外(SWIR)成像(如1300-1500納米范圍)對(duì)難度更高的樣品進(jìn)行成像,例如微電子機(jī)械系統(tǒng)設(shè)備、重?fù)诫s硅樣品、表面粗糙的樣品、晶圓粘結(jié)和3D芯片堆棧。這種方法可以使用更敏感的成像系統(tǒng),如砷化銦鎵(InGaAs)攝像頭。在反射光或透射光顯微鏡下,專用紅外物鏡、高功率照明和InGaAs攝像頭所帶來(lái)的信號(hào)優(yōu)勢(shì),讓人們可以對(duì)難度更高的樣品進(jìn)行成像。


沒有了 紅外顯微鏡

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